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新聞資訊
士蘭微電子LED照明驅動兩級無頻閃隔離降本增效方案推薦
2024.04.18

在LED驅動電源設計領域,不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅動力。士蘭微電子以先進的高壓MOS工藝平臺為基礎,以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝,成為LED照明驅動芯片內(nèi)置MOS的首選。今天,為大家推薦的是小體積、高效率、低成本的兩級無頻閃隔離LED照明驅動方案。

以下是士蘭微電子LED驅動照明帶來的40W(40V/1A)兩級新方案:SDH7523S+SD7863DL,此DEMO參數(shù)對比與原來方案對比一覽圖如下。

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經(jīng)過芯片和電源方案的進一步優(yōu)化,結合士蘭的硅材料MOS,最新方案將帶來如下更佳的提升和體驗:

* 整機和變壓器體積下降10%-30%;

整機工作效率提升≥0.3%;

輸出超寬范圍,輸出恒流負載特性優(yōu)異≤2%;

經(jīng)濟效益提升,方案成本下降≥¥1(變壓器/PCB/整機外殼/輸出電解等);

相比氮化鎵材料,硅材料多外延工藝MOS更成熟穩(wěn)定。


微信圖片_20240418151513.jpg

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后級反激PSR恒流控制器-SD786XDL系列內(nèi)置Si-MOS(硅材料MOSFET),在搭配前級APFC升壓電路,其MOS的導通損耗占比很小,且IC也工作在BCM臨界導通模式,極大的降低MOS的開關損耗,針對此點,我們重新優(yōu)化電源設計、提高整機的工作開關頻率,極大限度發(fā)揮傳統(tǒng)Si-MOS在LED驅動電源的應用水平。

傳統(tǒng)Si-MOS的成熟穩(wěn)定,可保證LED驅動產(chǎn)品的更加可靠。士蘭微電子將不斷結合自身的工藝平臺特點,發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢,為客戶帶來成熟穩(wěn)定且具有成本優(yōu)勢的解決方案。